I laser a semiconduttore furono inventati nel 1962 e raggiunsero il funzionamento a onda continua con doppia eterostruttura nel 1970, diventando la sorgente luminosa principale per la comunicazione ottica. Il sistema InGaAsP/InP supporta la banda di comunicazione a bassa perdita di 1300/1550 nm e MOCVD è diventata la tecnologia di fabbricazione tradizionale.
Un laser a semiconduttoreè costituito da un mezzo di guadagno e da un risonatore Fabry-Perot. L'inversione della popolazione viene realizzata mediante iniezione di portatori e il laser viene generato mediante emissione stimolata. La spaziatura della modalità longitudinale è determinata dalla lunghezza della cavità e il blocco della modalità richiede la sincronizzazione di fase di più modalità longitudinali
Schema di un laser ad ampia area
Diversi progetti laser che utilizzano il sistema di materiali InGaAsP/InP.
Per la banda di comunicazione, che copre 1300–1600 nm, viene adottato il sistema di materiali InGaAsP/InP. La crescita epitassiale MOCVD raggiunge un adattamento reticolare ad alta precisione, che è lo schema di fabbricazione principale per i laser commerciali.
La corrente di soglia aumenta esponenzialmente con la temperatura e la temperatura caratteristica T₀ riflette la stabilità della temperatura. La modulazione ad alta velocità si basa su strutture a bassa capacità e robuste guide di indice.
I laser a semiconduttore sono caratterizzati da dimensioni ridotte ed elevata affidabilità, fungendo da sorgente luminosa principale per la comunicazione ottica, le sorgenti di pompa, la stampa e il rilevamento, supportando la miniaturizzazione e l'integrazione di sistemi ultraveloci con modalità bloccata.
