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Fotodiodo PIN InGaAs da 1 mm TO46
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Fotodiodo PIN InGaAs da 1 mm TO46

Box Optronics fornisce il fotodiodo PIN InGaAs TO46 da 1 mm, progettato per il rilevamento del vicino infrarosso ad alta sensibilità nella banda di lunghezze d'onda da 900 nm a 1650 nm. Caratterizzato da elevata reattività (tipicamente 0,95 A/W a 1550 nm), bassa corrente di buio e bassa capacità. Alloggiato in un contenitore metallico TO46 compatto e sigillato ermeticamente con una finestra piatta, il fotodiodo offre un funzionamento affidabile a lungo termine in un intervallo di temperature esteso da -40°C a +85°C. Ideale per l'integrazione in misuratori di potenza ottica, strumenti di test e sistemi di comunicazione in fibra ottica.

Panoramica del prodotto: fotodiodo PIN InGaAs da 1 mm TO46


Il fotodiodo PIN InGaAs da 1 mm (modello BPD-1STO46B-FW) di Box Optronics è un fotorilevatore InGaAs ad alte prestazioni progettato per applicazioni di rilevamento del vicino infrarosso (NIR). Dotato di una struttura a diodo PIN, converte la potenza ottica incidente nell'intervallo di lunghezze d'onda 900–1650 nm in una fotocorrente proporzionale con elevata linearità e sensibilità. Dotato di un'area attiva di 1 mm di diametro. Confezionato in un contenitore metallico ermetico TO46 con finestra ottica piatta, il fotodiodo è meccanicamente robusto e garantisce prestazioni stabili in condizioni industriali e di laboratorio impegnative. Queste caratteristiche lo rendono una scelta eccellente per il monitoraggio della potenza ottica, la misurazione dei test su fibra ottica, il rilevamento laser e la spettroscopia NIR.


Caratteristiche principali: fotodiodo PIN InGaAs da 1 mm TO46


• Diametro dell'area attiva: 1 mm per un'efficiente raccolta della luce

• Ampio intervallo di risposta spettrale: da 900 nm a 1650 nm

• Alta reattività: 0,9 A/W tipica a 1.310 nm, 0,95 A/W a 1.550 nm

• Corrente di buio ultrabassa, bassa capacità di giunzione

• Elevata affidabilità e stabilità a lungo termine

• Pacchetto metallico ermetico TO46 con finestra piatta

• Configurazione TO-CAN standard per un facile montaggio


Applicazioni tipiche: fotodiodo PIN InGaAs da 1 mm TO46


• Misuratori di potenza ottica e moduli di monitoraggio della potenza ottica

• Attrezzature per test e misurazione della fibra ottica

• Rilevamento del segnale ottico e monitoraggio dell'alimentazione nei sistemi di telecomunicazioni

• Spettroscopia nel vicino infrarosso (NIR) e strumenti analitici

• Sistemi di monitoraggio e controllo della potenza laser

• Calibrazione e caratterizzazione dell'attenuatore ottico

• Ricerca e sviluppo nei laboratori di fotonica

• Integrazione del modulo ottico e sviluppo del sottosistema fotonico


Specifiche tecniche-Fotodiodo PIN InGaAs da 1 mm TO46


Valori massimi assoluti (TC = 25°C)

Parametro

Simbolo

Valutazione

Unità

Tensione inversa

VRmax

20

V

Temperatura della custodia operativa

SUPERIORE

-40~+85

°C

Temperatura di conservazione

TST

-55~+120

°C

Caratteristiche Elettro-ottiche (TC = 25°C)

Parametro

Simbolo

Condizione di prova

minimo

Tip.

Massimo.

Unità

Diametro dell'area attiva

φ

-

-

1

-

mm

Gamma spettrale

λ

-

900

-

1650

nm

Reattività a 1310 nm

R

VR = -5V

0.85

0.9

-

A/I

Reattività a 1550 nm

R

VR = -5V

-

0.95

-

A/I

Tensione inversa operativa

realtà virtuale

-

-

-5

-

V

Corrente Oscura

Id

VR = -5V

-

1.5

5.0

n / a

Capacità di giunzione

C

VR = -5 V, f = 1 MHz

-

50

80

pF

Larghezza di banda 3dB

BW

VR = 0 V, RL = 50 Ω

-

40

-

MHz


Dettagli prodotto-Fotodiodo PIN InGaAs da 1 mm TO46


Cos'è un fotodiodo PIN InGaAs?

Un fotodiodo PIN InGaAs è un rilevatore a semiconduttore ad alta sensibilità progettato per il rilevamento ottico nel vicino infrarosso (NIR). Basato su una struttura a semiconduttore P-I-N, converte i fotoni incidenti in fotocorrente con eccellente linearità e stabilità.

Operando da 900 nm a 1700 nm, i fotodiodi InGaAs forniscono un'elevata reattività attraverso le bande di comunicazione ottica e la regione SWIR, rendendoli adatti per test su fibra ottica, monitoraggio della potenza ottica, spettroscopia e applicazioni di rilevamento.

L'area attiva da 1 mm offre una migliore capacità di raccolta della luce e una migliore tolleranza di accoppiamento, fornendo un eccellente equilibrio tra sensibilità, flessibilità di allineamento e velocità di rilevamento.


Caratteristiche principali delle prestazioni: fotodiodo PIN InGaAs da 1 mm TO46


• Elevata reattività ed efficienza quantistica

• Corrente oscura ultra-bassa

• Bassa capacità e risposta rapida

• Ampia copertura spettrale

• Pacchetto ermetico TO46


Dimensioni della confezione e definizione dei pin: fotodiodo PIN InGaAs da 1 mm TO46


Tipo di confezione: contenitore metallico ermetico TO46, finestra piatta (TO-CAN a 3 pin)

Diametro contenitore: φ5,4 ± 0,2 mm (esterno), φ4,7 ± 0,1 mm (interno)

Diametro finestra: φ3,9 ± 0,1 mm

Configurazione pin (vista dal basso): Pin 1 = Anodo (lato P), Pin 2 = Custodia (GND), Pin 3 = Catodo (lato N)


 

 


Informazioni sull'ordinazione


Nomenclatura dei modelli

BPD - DA X X A XX - X - X

Esempio: BPD-1STO46B-FW

Campo

Codice

Descrizione

Serie di prodotti

BPD

Serie di fotodiodi a scatola

Dimensioni dell'area attiva

1S

1S = diametro 1 mm (2S=2 mm, 3S=3 mm, 5S=5 mm)

Tipo di pacchetto

TO46

TO46 = pacchetto TO46 (TO5=TO5)

Tipo di perno

B

B = Pinout tipo B

Tipo di finestra

FW

FW = Finestra Piatta


Scheda tecnica-Fotodiodo PIN InGaAs da 1 mm TO46


Scheda dati


Tempi di consegna

• Unità standard (modelli in stock): 3~5 giorni lavorativi

• Produzione standard: 10~15 giorni lavorativi

• Ordini in grandi quantità: contattare per il programma di produzione

• Spedizione internazionale: ~5 giorni lavorativi (DHL/UPS/FedEx express)

• Servizio rapido: disponibile su richiesta


Note operative e utilizzo: fotodiodo PIN InGaAs da 1 mm TO46


• I fotodiodi sono dispositivi sensibili alle scariche elettrostatiche (ESD): utilizza sempre la protezione ESD adeguata

• Evita di toccare i cavi direttamente a dita nude per evitare contaminazioni e danni da scariche elettrostatiche

• Conserva i dispositivi non utilizzati in imballaggi antistatici o in vassoi conduttivi per evitare danni da scariche elettrostatiche


Tag caldi: Cina Fotodiodo PIN InGaAs da 1 mm TO46 Produttore, fornitore, fabbrica
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Informazioni di contatto
  • Indirizzo

    Room 901, Building A, Rongchao New Era Plaza, No. 3 Lanqing 1st Road, Comunità Luhu, Sottodistretto di Guanhu, Distretto di Longhua, Shenzhen, 518110, Cina

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